Ürün danışmanlığı
E -posta adresiniz yayınlanmayacaktır. Gerekli alanlar işaretlenmiştir *
Magnetron püskürtme işlemi, bir hedef malzeme ile oda duvarı arasında yüksek bir voltaj uygulandığı bir vakum odasında başlar. Oda, kimyasal olarak inert olduğu ve hedef veya substrat ile reaksiyona girmediği için kullanılan bir inert gaz, tipik olarak argon ile doldurulur. Yüksek voltaj gazı iyonize ederek bir plazma oluşturur. Plazma, pozitif yüklü iyonlar, serbest elektronlar ve nötr gaz partiküllerinden oluşur. Plazma, püskürtme işlemini başlatarak iyonların hedef malzemeye doğru hızlandırıldığı ortam görevi görür.
Plazma kurulduktan sonra, plazmadaki iyonlar hedef malzemeye doğru hızlandırılır. Hedef genellikle biriktirilecek ince filmin istenen özelliklerine göre seçilen bir metal, alaşım veya seramiktir. Yüksek enerjili plazma iyonları hedef malzemeyle çarpıştığında, atomları püskürtme adı verilen bir işlemle hedefin yüzeyinden çıkarırlar. Bu çıkarılan atomlar, substrat üzerindeki ince filmi oluşturacak malzemedir. Püskürtme işlemi yüksek oranda kontrol edilir ve sadece hedeften atomların çıkarılmasını sağlar.
Magnetron püskürtmenin ayırt edici özelliği, hedef malzemenin arkasına yerleştirilmiş bir manyetik alanın kullanılmasıdır. Manyetik alan, püskürtme işleminin verimliliğini önemli ölçüde arttırır. Hedef yüzeyin yakınındaki elektronları tuzağa düşürür, plazmanın yoğunluğunu arttırır ve inert gazın daha fazla iyonizasyonunu teşvik eder. Bu geliştirme, püskürtme verimliliğini ve biriktirme oranını iyileştirerek hedef üzerinde daha yüksek bir iyon bombardımanına yol açar. Yoğunlaştırılmış plazma, daha tutarlı ve kontrollü bir püskürtme işlemi ile sonuçlandığı için hedef zehirlenme veya maddi safsızlıklar gibi sorunları en aza indirdiğinden, daha iyi film kalitesine katkıda bulunur.
Hedef malzemeden çıkarılan atomlar, plazma boyunca hareket eder ve sonunda vakum odasında hedefin karşısında yerleştirilen substrat üzerine iner. Substrat, cam, metal veya plastik dahil olmak üzere ince bir kaplama gerektiren herhangi bir malzeme olabilir. Püskürtülen atomlar substrata ulaştıkça, ince bir film katmanı oluşturarak yüzeye yoğunlaşmaya ve yapışmaya başlarlar. Filmin kalınlık, yapışma mukavemeti ve homojenlik gibi özellikleri, biriktirme süresi, hedefe sağlanan güç ve odadaki vakum koşullarına bağlıdır.
Atomlar substrat üzerinde biriktikçe, katı bir film yaratarak yüzeye bağlanmaya başlarlar. Film atomla atom büyür ve özellikleri, odadaki gazın basıncı, substratın sıcaklığı ve hedefe uygulanan güç gibi biriktirme parametrelerinden etkilenebilir. Magnetron püskürtme özellikle yüksek homojenlik, pürüzsüzlük ve düşük kusur oranlarına sahip filmler üretmek için tercih edilir. Filmin kalitesi, yüksek sertlik, optik şeffaflık veya elektriksel iletkenlik elde etmek gibi belirli uygulamalar için uyarlanabilir.
E -posta adresiniz yayınlanmayacaktır. Gerekli alanlar işaretlenmiştir *