Magnetron Püskürtme Vakum Kaplama Makinesi

Magnetron Püskürtme Vakum Kaplama Makinesi

Bir manyetron püskürtme vakum kaplama sistemi, bir substrat üzerine ince bir malzeme tabakası bırakmak için yüksek enerjili iyonlar kullanır. İşlem hızlı ve ucuzdur ve yüksek saflıkta bir kaplama üretir. Yüksek enerjili iyonlar bir kaynak malzemeden salınır ve argon gibi inert bir gazla çarpışır. Bu iyonlar bir plazma üretir ve kaynak materyalin atomları çıkarılır.

Magnetron püskürtme vakum kaplama makinesi mücevher üretiminde yaygın olarak kullanılır. Döner ve sabit tasarımları, çok çeşitli kaplama gereksinimlerini karşılayacak şekilde kolayca ayarlanabilir. Bu makine, herhangi bir metal veya metalik olmayan substratı kaplamak için uygundur. Ayrıca plastik, seramik ve kristal cam kaplamak için de kullanılabilir. Üst düzey özellikleri arasında iyi tekdüzelik ve hızlı biriktirme oranları bulunur.

Magnetron püskürtme vakum kaplama sistemi, yüksek hacimli üretim için güçlü ve çok yönlü bir araçtır. İhtiyaçlara ve uygulamaya bağlı olarak, bu teknik çok çeşitli istenen özelliklere sahip ince filmler oluşturabilir. Süreci optimize etmek için farklı güç sistemleri, malzemeler ve gazlar kullanılabilir. İşlem başlamadan önce, substrat tutucuya monte edilir. Tutucu daha sonra hareket etmesini önlemek için bir yük kilit odasından geçer.

Bu vakum kaplama sistemi, geçiş oranının yüksek yüzdesi ile yüksek kaliteli kaplamalar üreten düşük maliyetli bir yöntemdir. Havacılık ve üst düzey elektronik üretimi için idealdir. Alaşım kaplama ve kompozit metal filmler için de kullanılabilir. Bu, birçok malzeme türünü kaplamanın ekonomik ve etkili bir yoludur.

Bir manyetron püskürtme vakum kaplama sistemi, elektron hapsinden yararlanan bir püskürtme kaynağı kullanır. Mıknatıslar, hedefin yüzeyinde elektronları yakalayarak daha yüksek plazma yoğunluğu ve daha yüksek birikme oranları ile sonuçlanır. Geleneksel püskürtme yöntemlerinden farklı olarak, bu teknik güvenlidir ve kaplama nesnesine zarar vermez.

Süreçte kullanılan püskürtme gazı önemli bir husustur. Kullanılacak gaz tipi, substratın atom ağırlığına bağlıdır. Örneğin, daha hafif malzemeler neon veya ksenon kullanımından yararlanır. Oda oksijen içeriyorsa, işlem reaktif olacaktır.

Püskürtme işlemi, hedef malzemenin reaktif gazlara maruz bırakılmasını içerir. Bu gazlar hedef malzeme ile reaksiyona girer ve moleküler bir bileşik oluşturur. Malzeme daha sonra ince bir film kaplaması olarak bırakılır. Örneğin, bir silikon hedefi reaktif olarak oksijen veya azot ile püskürtüldüğünde, silikon oksit veya silikon nitrür üretir. Bu yöntem genellikle birden fazla malzemeyi aynı anda kaplamak için kullanılır.

Magnetron Püskürtme Kaplama Makinesi

Çok arc iyon ve püskürtme kaplamaları çok çeşitli renklerde birikebilir. Biriktirme işlemi sırasında odaya reaktif gazlar eklenerek renklerin plakası daha da arttırılabilir. Dekoratif kaplamalar için yaygın olarak kullanılan reaktif gazlar azot, oksijen, argon veya asetilendir. Dekoratif kaplamalar, kaplamanın ve kaplamanın yapısındaki metal-GAS oranına bağlı olarak belirli bir renk aralığında üretilir. Bu faktörlerin her ikisi de biriktirme parametreleri değiştirilerek değiştirilebilir.

Birikmeden önce, parçalar temizlenir, böylece yüzey toz veya kimyasal safsızlıklar içermez. Kaplama işlemi başladıktan sonra, ilgili tüm işlem parametreleri otomatik bir bilgisayar kontrol sistemi tarafından sürekli olarak izlenir ve kontrol edilir.

• Substrat malzemesi: Cam, metal (karbon çelik, paslanmaz çelik, pirinç), seramik, plastik, mücevher.

• Yapı tipi: dikey yapı, #304 paslanmaz çelik.

• Kaplama Filmi: Çok fonksiyonlu metal film, kompozit film, şeffaf iletken film, yansıtma artan film, elektromanyetik koruyucu film, dekoratif film.

• Film rengi: Çok renk, tabanca siyah, titanyum altın rengi, gül altın rengi, paslanmaz çelik renk, mor renk, koyu siyah, koyu mavi ve diğer daha fazla renk.

• Film Tipi: Tin, CRN, ZRN, TICN, TICRN, TINC, TIALN ve DLC.

• Üretimde sarf malzemeleri: titanyum, krom, zirkonyum, demir, alaşım hedefi; Düzlem Hedefi, Silindirik Hedef, İkiz Hedef, Karşıt Hedef.